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Foundation of On-chip ESD Protection 2007年6月6日 ... Diode/BJT/MOS/SCR/Others. Chapter 4, ESD .... 共55页. 14. 主要仪器. 测试原理. Chapter 2, ESD Measurement & Analysis. ——ZAP Test ...
請問ESD為何需要量I-V curve(頁1) - ESD/EMI/EMC討論區- Chip123 ... 請問各位先進,ESD為何需要量I-V curve??,它得原理 ... 如果是對ground GGNMOS 的架構，電壓正方向，電流表現出diode reverse*zx1q s B$]
静电放电(ESD)设计 王洪博：静电放电(ESD)设计；2010年6月9日；深圳. Slide 2. 内容提要 ...... 背对背串 接的稳压管对瞬态抑制电路的工作原理是. 显而易见的。 ..... possible to ESD diode network power rail to shunt ESD current.
靜電放電防護設計之基本概念-电子 2012年6月7日 ... 防護元件的設計原理，以及防護電路所常使用的元件特性. 加以說明。 .... Diode N+/P -well, Zener Diode, Thin-Oxide NMOS (PMOS), Thick-Oxide Device, Lateral SCR. Layout Area (μmxμm) ...
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請問ESD為何需要量I-V curve(頁1) - ESD/EMI/EMC討論區- Chip123 ... 請問各位先進,ESD為何需要量I-V curve??,它得原理. 5B&D)v J ... 電流分別是兩個 forward的diode特性。
